图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BC 857CW E6433 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

内部编号

173-BC-857CW-E6433

生产厂商

Infineon Technologies

INFINEON

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

BC 857CW E6433产品详细规格

规格书 BC 857CW E6433 datasheet 规格书
BC856 - BC860
文档 Multiple Devices 01/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 420 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 250mW
频率转换 250MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-70, SOT-323
供应商器件封装 PG-SOT323-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极 - 基极电压VCBO 50 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 45 V
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
集电极最大直流电流 0.1 A
增益带宽产品fT 250 MHz (Typ)
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-323-3
连续集电极电流 0.1 A
最大功率耗散 250 mW
最低工作温度 - 65 C
封装 Reel
工厂包装数量 10000
零件号别名 BC857CWE6433XT
寿命 Obsolete
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 250MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 650mV @ 5mA, 100mA
标准包装 10,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 PG-SOT323-3
功率 - 最大 250mW
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 420 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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